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650 V IGBT M系列专为硬开关电路拓扑结构中在2-20 kHz频率之间工作的应用而设计,实现了导通损耗和开关损耗的最佳平衡。IGBT属于STPOWER系列。

150°C起始结温下6 µs的最短短路承受时间结合175°C的最高工作结温以及较宽的安全工作区(SOA),延长了使用寿命,并提高了在需要高功耗的应用中的可靠性。

该器件的额定电流范围为4-120 A,可提供各种封装选项,其包含的新一代续流二极管可以实现快速恢复,同时保持低正向压降和高平缓性。

STPOWER IGBT主要特征:

  • 低损耗IGBT适合最大20 kHz的应用
  • 具有650 V击穿电压、6 µs最短短路承受时间(150 °C起始TJ)以及175°C最大扩展工作TJ,稳定性和可靠性高
  • 纤薄的IGBT晶片增加了热阻
  • 正VCE(sat)温度系数,紧凑的参数分布,简化设计,易于并联
  • 优化二极管可实现快速恢复(高平缓性、低EMI和开启损耗)

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。


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