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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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  • The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.

    主要特性

    • Good hFE linearity
    • Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
    • High fT frequency

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      DS0882
      Complementary power Darlington transistors
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      DS0882

      Complementary power Darlington transistors

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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SOT-32 工业 Ecopack1

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