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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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  • The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.

    主要特性

    • Good hFE linearity
    • Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
    • High fT frequency

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      DS0882
      Complementary power Darlington transistors
      5.2
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      DS0882

      Complementary power Darlington transistors

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