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  • The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability.

    Thanks to an increased intermediate layer, it has an intrinsic ruggedness which enables the transistor to withstand an high collector current level during breakdown condition, without using the transil protection usually necessary in typical converters for lamp ballast.

    主要特性

    • High voltage capability
    • Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
    • Low spread of dynamic parameters
    • Very high switching speed

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS5224
      High voltage fast-switching NPN power transistors
      3.2
      330.37 KB
      PDF
      DS5224

      High voltage fast-switching NPN power transistors

质量与可靠性

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
BUL741
批量生产
TO-220AB Industrial Ecopack2

BUL741

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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产品型号
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封装
包装类型
供货状态
ECCN (US)
Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
BUL741 没有经销商,请联系我们的销售办事处 TO-220AB Tube
批量生产
EAR99 CHINA

BUL741

封装

TO-220AB

包装类型

Tube

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批量生产

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EAR99

Country of Origin

CHINA

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