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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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  • The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.

    It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.
    The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.

    主要特性

    • INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR- EMITTER DIODE
    • LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
    • HIGH VOLTAGE CAPABILITY
    • VERY HIGH SWITCHING SPEED
    • MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION

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      DS1154
      High voltage fast-switching NPN power transistor
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      DS1154

      High voltage fast-switching NPN power transistor

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