G-HEMT 650V GaN HEMT

意法半导体扩展了其STPOWER功率晶体管系列，在该系列中新增额定电压为650V的增强型HEMT（本质上为常开器件）PowerGaN G-HEMT™ 650V，该产品提供顶部、底部和双侧冷却式SMD封装，旨在满足电源转换应用对大功率和高频率的要求。

650 V GaN HEMT的特性

• 增强型常开晶体管
• 电容极低（总Q_G是Si MOSFET的十分之一）
• 零反向恢复电荷 (Q_rr)
• 采用创新型封装技术，可最大限度减少寄生效应
• 带有Kelvin源极引脚，可实现理想的栅极驱动

650 V GaN HEMT的主要应用

G-HEMT™ 650V系列旨在确保在电源转换应用中达到高效率和高功率密度以及理想的热性能，适用于各类消费和工业应用，如服务器、电信和数据通信设备、适配器/充电器、无线充电、音频和电动汽车 (EV) 产品等。

汽车	工业	个人电子产品	通信设备
车载充电器 400V-12V DC/DC转换器 48V-12V DC/DC转换器 牵引逆变器	面向工业驱动器的PSU 太阳能	充电器 适配器 USB PD 消费类电子电源	电信用PSU 数据中心和服务器用PSU