IRF630

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N-channel 200 V, 0.35 Ohm typ., 9 A Power MOSFET in DPAK package

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  • This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET™ process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters.

    主要特性

    • Extremely high dv/dt capability
    • Very low intrinsic capacitance
    • Gate charge minimized

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      N-channel 200 V, 0.29 Ω typ., 9 A, STripFET™ Power MOSFET in a TO‑220 package
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      N-channel 200 V, 0.29 Ω typ., 9 A, STripFET™ Power MOSFET in a TO‑220 package

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      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
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      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
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      1.22 MB
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

出版刊物和宣传资料

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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
IRF630
批量生产
TO-220AB Industrial Ecopack2

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Package:

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