MDmesh™ DK5 MOSFET具有950到1050 V击穿电压范围，是意法半导体首款N通道功率MOSFET超高电压（VHV）快速恢复二极管系列。它们具有超低的栅极电荷，低至45 nC，具有业界最佳的250 ns（典型）反向恢复时间（trr），令它们成为高功耗应用中ZVS LLC谐振转换器的理想选择，如工业焊机、等离子生成器、高频电感融化/加热和X光机。功率MOSFET属于STPOWER系列。
得益于业界最低的0.12 Ω导通电阻（RDS(on)）（VGS = 10 V，ID = 23 A）和最佳的稳定性，MDmesh DK5快速二极管MOSFET系列还适合于硬开关拓扑。
MDmesh DK5 N-沟道VHV MOSFET有广泛的穿孔和SMD功耗封装，包括长引线TO-247和ISOTOP封装。
主要特性
- 在快速二极管MOSFET中业界最佳的Qg（45 nC）
- 在超高压快速二极管MOSFET中反向恢复电荷最低（典型250 ns）
- 业界最低的RDS(on)（在Max247和ISOTOP封装中为0.12 Ω）
- 极为出色的Coss/Ciss曲线
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。
精选 视频
Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ
Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages
Ideal for resonant-type power supplies
特别推荐
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