MDmesh DM6系列

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MDmesh™ DM6超结功率MOSFET是意法半导体最新的快速恢复二极管MOSFET系列,针对全桥相移ZVS拓扑进行了优化。

此类600和650 V快速恢复MOSFET具有极低的恢复电荷和时间(Qrr,trr),与前一代相比,RDS(on)降低了15%。高dV/dt稳定性(50 V/ns)让器件即使出现了大瞬态电压(如AC电源线上的噪声和谐波)也能可靠运行。这些功率MOSFET属于STPOWER系列。

STPOWER MOSFET关键特性与优势

  • 改进的本征二极管反向恢复时间(Trr),提高了效率
  • 更高dV/dt能力,可提高系统可靠性
  • 符合AEC-Q101标准的600 V和650 V快速恢复MOSFET,可用于汽车应用

 

两款新型650V汽车级STPOWER MOSFET采用小型SMD封装,适用于更紧凑的设计

意法半导体的MDmesh DM6系列新增的两款650V汽车级STPOWER MOSFET采用小型SMD封装,支持更紧凑的设计(STH30N65DM6-7AG采用H2PAK- 7封装,STB30N65DM6AG采用D2PAK封装)。这些获得AEC-Q101版本D认证的MOSFET具有极高的dv/dt能力并改进了本征二极管,非常适合谐振和DC/DC转换器。

 

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。