MDmesh K6功率MOSFET采用意法半导体的超高压超结技术
凭借800V MDmesh K6系列，意法半导体为800V超结技术树立了标杆，这项技术结合了最先进的性能与出色的易用性。MDmesh K6以DPAK封装提供目前可用于800V的最佳RDS(on) (220mΩ)。这一新产品系列非常适合照明应用，如LED驱动器和HID灯以及SMPS，例如，基于反激拓扑的适配器和平板电视。这一代先进产品的亮点包括优秀的RDS(on)等级以及通孔和SMD封装解决方案，可在确保导通电阻相同的情况下实现更小晶片尺寸和更低的成本，从而使系统更紧凑。此外，相对于上一代产品，MDmesh K6系列具有更低的阀值电压VGS(th)，能够降低驱动电压，实现更低的功耗。
这些功率MOSFET属于STPOWER系列。
主要特性
- 在800V电压范围下具有业界最出色的RDS(on)
- 高开关速度
- 更低的VGS(th)
- 最低的Qg
主要优势
- 设计复杂性降低，效率提高
- 专为反激拓扑应用量身定制
精选 视频
Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ
Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages
Ideal for resonant-type power supplies
特别推荐
- STD80N240K6 N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
- STP80N240K6 N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package