MDmesh K6 series

MDmesh K6功率MOSFET采用意法半导体的超高压超结技术

凭借800V MDmesh K6系列，意法半导体为800V超结技术树立了标杆，这项技术结合了最先进的性能与出色的易用性。MDmesh K6以DPAK封装提供目前可用于800V的最佳R_DS(on) (220mΩ)。这一新产品系列非常适合照明应用，如LED驱动器和HID灯以及SMPS，例如，基于反激拓扑的适配器和平板电视。这一代先进产品的亮点包括优秀的R_DS(on)等级以及通孔和SMD封装解决方案，可在确保导通电阻相同的情况下实现更小晶片尺寸和更低的成本，从而使系统更紧凑。此外，相对于上一代产品，MDmesh K6系列具有更低的阀值电压V_GS(th)，能够降低驱动电压，实现更低的功耗。

这些功率MOSFET属于STPOWER系列。

主要特性

• 在800V电压范围下具有业界最出色的R_DS(on)
• 高开关速度
• 更低的V_GS(th)
• 最低的Q_g

主要优势

• 设计复杂性降低，效率提高
• 专为反激拓扑应用量身定制