凭借STPOWER MDmesh M9系列，意法半导体为650V/600V超结技术树立了标杆，这项技术结合了一流的性能与出色的易用性。创新型高压超结STPOWER MDmesh M9系列可提供市面上最佳品质因数（RDS（on）max x Qg），以及比之前的技术低约30%的通态电阻，使设计人员
能够提高功率密度并获得更紧凑的系统解决方案。
应用
MDmesh M9系列专为硬开关和软开关拓扑而定制，是电信数据中心和服务器、5G电站和太阳能微型逆变器以及快速充电器、平板显示器和PC SMPS的理想选择。
服务器
电信数据中心
5G电站
微型逆变器
快速充电器
产品类型
与以往技术（MDmesh M5系列）相比，MDmesh M9系列通过封装类型（DPAK、TO-220、TO-247长引线版和PowerFLAT 8x8 HV）改进并降低了最大漏级-源级导通电阻。
优点
- 更高的功率密度、更低的导通损耗，以及更紧凑的解决方案
- 低开关功率损耗带来高效率和高开关速度
- 稳定性和可靠性更高，设计复杂度更低
主要特性
| 产品编号 | 业内出色 的RDS(on)，面向650V | 最低的Qg | 更高的反向 二极管dv/dt | 更高的MOSFET dv/dt坚固性 |
| STP65N045M9 | TO-220封装中为45 mΩ | 400V时为80 nC | 400V时为50 V/ns | ≤400V时为120 V/ns |
精选 视频
特别推荐
- STD65N160M9 N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET in a DPAK package
- STP65N150M9 N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package
- STP65N045M9 N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package