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COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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  • The devices are manufactured in planar technology with \"base island\" layout and monolithic Darlington configuration.

    主要特性

    • Good hFE linearity
    • Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
    • High fT frequency

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS0776
      Complementary power Darlington transistors
      3.2
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      DS0776

      Complementary power Darlington transistors

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
MJD112T4
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DPAK 工业 Ecopack2

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