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The devices are manufactured in planar technology with \"base island\" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
主要特性
- Low collector-emitter saturation voltage
- Integrated antiparallel collector-emitter diode
精选 视频
| 产品型号 | 供货状态 | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| MJD122T4 | 批量生产 | DPAK | 工业 | Ecopack2 | |
MJD122T4
Package:
DPAKMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。
