SCT040H65G3AG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

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产品概述

描述

该款碳化硅功率 MOSFET采用 ST 先进创新的第三rd 代碳化硅 MOSFET 技术。在整个温度范围内具有极低的 RDS(on) 和极低的输入输出结电容,适于用在高频开关场合,提高整个系统的能效,减小系统的体积和重量。
  • 所有功能

    • 符合 AEC-Q101
    • 在整个温度范围内具有极低的 RDS(on)
    • 适于用在高频开关场合
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 源极感应引脚可提高效率

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - SCT040H65G3AG

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符号

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3D model

3D模型

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCT040H65G3AG
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H2PAK-7 汽车应用 Ecopack1

SCT040H65G3AG

Package:

H2PAK-7

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

H2PAK-7

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-7 - - CHINA

SCT040H65G3AG

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

H2PAK-7

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商