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SCT10N120

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碳化硅功率MOSFET，1200 V、12 A、520 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装

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该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此，器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻，以及卓越的开关性能，随温度变化极小。碳化硅（SiC）材料具有出色的热性能，与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合，使设计人员能够采用符合行业标准的设计，显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。

主要特性
- 导通电阻随温度变化敏感温度
- 适应非常高的工作温度 (T_J = 200 °C)
- 稳定的超快速本体二极管
- 低电容
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技术文档

产品规格

	描述	版本	文档大小	操作
	DS10954 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247™ package	3.0	232.26 KB	PDF

DS10954

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247™ package

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应用手册

描述	版本	文档大小	操作
AN4671 如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗	1.0	608.21 KB	PDF
AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp	1.0	6.39 MB	PDF
AN3152 The right technology for solar converters	1.4	416.3 KB	PDF

AN4671

如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗

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AN5355

Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

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AN3152

The right technology for solar converters

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技术文档

	描述	版本	文档大小	操作
	TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs	2.2	2.34 MB	PDF

TA0349

Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

PDF

用户手册

	描述	版本	文档大小	操作
	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs	1.3	1.51 MB	PDF

UM1575

Spice model tutorial for Power MOSFETs

PDF

硬件型号、CAD库及SVD

	描述	版本	文档大小	操作
	SCT10N120 PSpice model	1.0	5.29 KB	ZIP

SCT10N120 PSpice model

ZIP

出版刊物和宣传资料

宣传册

描述	版本	文档大小	操作
ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS	1.0	305.22 KB	PDF
STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching	1.0	339.41 KB	PDF
SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching	1.0	174.33 KB	PDF
SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching	3.0	1.52 MB	PDF

ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

PDF

STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching

PDF

SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching

PDF

SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

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手册

	描述	版本	文档大小	操作
	Electric vehicle (EV) ecosystem	1.1	1.28 MB	PDF

Electric vehicle (EV) ecosystem

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会议文章

描述	版本	文档大小	操作
3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices	1.0	760.82 KB	PDF
Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter	1.0	1.8 MB	PDF
Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs	1.0	582.21 KB	PDF
SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters	1.0	1.06 MB	PDF
Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films	1.0	980.73 KB	PDF
Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate	1.0	1.35 MB	PDF
Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics	1.0	792.49 KB	PDF

3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices

PDF

Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter

PDF

Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs

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SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters

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Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films

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Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate

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Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

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质量与可靠性

产品型号	Marketing Status	封装	等级规格	符合RoHS级别	材料声明**
SCT10N120	批量生产	HIP247	工业	Ecopack2	PDF XML

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Package:

HIP247

Material Declaration**:

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Package

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Grade

Industrial

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Ecopack2

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包装类型

Tube

封装

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Country of Origin

CHINA

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