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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

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  • 该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此，器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻，以及卓越的开关性能，随温度变化极小。碳化硅（SiC）材料具有出色的热性能，与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合，使设计人员能够采用符合行业标准的设计，显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。

    主要特性

    • 导通电阻随温度变化敏感温度
    • 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 低电容
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      		DS10954
      Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247™ package       		3.0
      232.26 KB
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      DS10954

      Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247™ package

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4671
      如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗       		1.0
      608.21 KB
      		PDF
      		AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp       		1.0
      6.39 MB
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      		AN3152
      The right technology for solar converters       		1.4
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      AN4671

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      AN5355

      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

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      AN3152

      The right technology for solar converters

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      		TA0349
      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs       		2.2
      2.34 MB
      		PDF
      TA0349

      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		SCT10N120 PSpice model 1.0
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      SCT10N120 PSpice model

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出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
      401.67 KB
      		PDF
      		SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
      1.52 MB
      		PDF

      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

      PDF

      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

      PDF
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      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

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      		3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
      760.82 KB
      		PDF
      		Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
      1.8 MB
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      		Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
      582.21 KB
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      		SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
      1.06 MB
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      		Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
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      		Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
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      		Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
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      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCT10N120
批量生产
HIP247 Industrial Ecopack2

SCT10N120

Package:

HIP247

Material Declaration**:

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批量生产

Package

HIP247

Grade

Industrial

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