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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

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  • 该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。

    主要特性

    • 导通电阻随温度变化敏感温度
    • 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 低电容

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      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
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      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
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      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

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SCT10N120
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HIP247 Industrial Ecopack2

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Package:

HIP247

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