SCT10N120AG

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汽车级碳化硅功率MOSFET,1200 V、12 A、520 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装

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  • This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247™ package, allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

特别推荐

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - SCT10N120AG

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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HIP247 汽车应用 Ecopack2

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Package:

HIP247

Material Declaration**:

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Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tube HIP247 - - CHINA

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ECCN (EU)

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包装类型

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封装

HIP247

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-

(最大值)

-

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Country of Origin

CHINA

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