SCT20N120

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碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150 C),HiP247封装

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  • 该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。

    主要特性

    • 导通电阻随温度变化敏感温度
    • 开关损耗随温度变化极小温度
    • 适应非常高的工作温度(200°C)
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 低电容
    • 易于驱动

适合您的资源

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCT20N120
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HIP247 工业 Ecopack2

SCT20N120

Package:

HIP247

Material Declaration**:

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批量生产

Package

HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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NEC

包装类型

Tube

封装

HIP247

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(最大值)

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商