SCT20N120H

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碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150 C),HiP247封装

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产品概述

描述

This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
  • 所有功能

    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCT20N120H
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H2PAK-2 工业 Ecopack2

SCT20N120H

Package:

H2PAK-2

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H2PAK-2

Grade

Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape and Reel H2PAK-2 - - CHINA

SCT20N120H 批量生产

封装:
H2PAK-2
ECCN (US):
EAR99
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-

产品型号:

SCT20N120H

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tape and Reel

Operating Temperature (°C)

Min:

-

Max:

-

Country of Origin:

CHINA

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RS COMPONENTS

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