SCT30N120H

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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an H2PAK-2 package

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产品概述

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - SCT30N120H

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符号

Footprints

封装

3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCT30N120H
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H2PAK-2 工业 Ecopack2

SCT30N120H

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

H2PAK-2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。

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