SCT50N120

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碳化硅功率MOSFET,1200 V、65 A、59 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装

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该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。
  • 所有功能

    • 导通电阻随温度变化敏感温度
    • 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 低电容

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HIP247 工业 Ecopack2

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封装:
HIP247
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EAR99
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NEC

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Tube

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CHINA

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