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SCTH100N65G2-7AG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 95 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance
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SCTH100N65G2-7AG H2PAK-7 Tape And Reel
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      		DS12773
      Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 95 A, 20 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package       		1.0
      617.55 KB
      		PDF
      DS12773

      Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 95 A, 20 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4671
      如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗       		1.0
      608.21 KB
      		PDF
      		AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp       		1.0
      6.39 MB
      		PDF
      		AN3152
      The right technology for solar converters       		1.4
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      AN4671

      如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗

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      AN5355

      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

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      AN3152

      The right technology for solar converters

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      		TA0349
      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs       		2.2
      2.34 MB
      		PDF
      TA0349

      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
      515.17 KB
      		PDF
      		SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
      1.52 MB
      		PDF

      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

      PDF

      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
      760.82 KB
      		PDF
      		Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
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      		Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
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      		Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
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      		Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
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      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTH100N65G2-7AG
批量生产
H2PAK-7 Automotive Ecopack1

SCTH100N65G2-7AG

Package:

H2PAK-7

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批量生产

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H2PAK-7

Grade

Automotive

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Ecopack1

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