SCTH35N65G2V-7AG

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汽车级碳化硅功率MOSFET,650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),H2PAK-7封装

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This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 所有功能

    • AEC-Q101 qualified
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Source sensing pin for increased efficiency

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      STDES-7KWOBC

      批量生产

      7 kW on-board charger (OBC) reference design

      电源和功率转换器解决方案评估板 ST
      STDES-7KWOBC

      描述:

      7 kW on-board charger (OBC) reference design

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STMicroelectronics - SCTH35N65G2V-7AG

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTH35N65G2V-7AG
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H2PAK-7 汽车应用 Ecopack1

SCTH35N65G2V-7AG

Package:

H2PAK-7

Material Declaration**:

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H2PAK-7

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

H2PAK-7

Operating Temperature (°C)

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(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

11.0 / 100

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商