SCTH40N120G2V7AG

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汽车级碳化硅功率MOSFET,1200 V、33 A、75 mOhm(典型值,TJ = 25 C),H2PAK-7封装

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance

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EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - SCTH40N120G2V7AG

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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批量生产
H2PAK-7 汽车应用 Ecopack1

SCTH40N120G2V7AG

Package:

H2PAK-7

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

H2PAK-7

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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封装
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EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-7 - - CHINA

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EAR99

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

H2PAK-7

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商