SCTH70N120G2V-7

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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 90 A in an H2PAK-7 package

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描述

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 所有功能

    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitances

特别推荐

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符号

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3D model

3D模型

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTH70N120G2V-7
批量生产
H2PAK-7 工业 Ecopack1

SCTH70N120G2V-7

Package:

H2PAK-7

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

H2PAK-7

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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ECCN (US)
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包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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批量生产
EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-7 - - CHINA 27.3 / 100

SCTH70N120G2V-7

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

27.3 / 100

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

H2PAK-7

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

27.3 / 100

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商