SCTL90N65G2V

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package

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该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅(SiC)MOSFET技术开发而成。该器件单位面积导通电阻极低且具有良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTL90N65G2V
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PowerFLAT 8x8 HV 工业 Ecopack2

SCTL90N65G2V

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

XML

Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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封装
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EAR99 NEC Tape and Reel PowerFLAT 8x8 HV - - CHINA

SCTL90N65G2V 批量生产

封装:
PowerFLAT 8x8 HV
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

SCTL90N65G2V

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tape and Reel

Operating Temperature (°C)

Min:

-

Max:

-

Country of Origin:

CHINA

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商