SCTW100N120G2AG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package

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描述

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 所有功能

    • AEC-Q101 qualified
    • High speed switching performance
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitances
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTW100N120G2AG
批量生产
HIP247 汽车应用 Ecopack2

SCTW100N120G2AG

Package:

HIP247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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批量生产
EAR99 NEC Tube HIP247 - - CHINA

SCTW100N120G2AG

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

HIP247

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商