SCTW100N65G2AG

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汽车级碳化硅功率MOSFET,650 V、100 A、20 mOhm(典型值,TJ = 25°C),HiP247封装

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  • 该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅(SiC)MOSFET技术开发而成。器件具有每区域超低的导通状态电阻和卓越的开关性能。RDS(on) 和开关损耗的变化受工作结温的影响都非常小。

    主要特性

    • 专为汽车应用而设计
    • 导通电阻随温度变化敏感温度
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
    • 低电容

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能源生产和分配

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - SCTW100N65G2AG

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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HIP247 汽车应用 Ecopack2

SCTW100N65G2AG

Package:

HIP247

Material Declaration**:

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批量生产

Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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供货状态
ECCN (US)
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封装
温度(ºC) Country of Origin
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地区 库存 最小订购量 第三方链接
DIGIKEY WORLDWIDE 46 1 马上订购
RS COMPONENTS EUROPE 60 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 42 1 马上订购
RUTRONIK EUROPE 27 1 马上订购

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EAR99 NEC Tube HIP247 - - CHINA

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EAR99

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

HIP247

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商