SCTW100N65G2AG

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汽车级碳化硅功率MOSFET,650 V、100 A、20 mOhm(典型值,TJ = 25°C),HiP247封装

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  • 该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅(SiC)MOSFET技术开发而成。器件具有每区域超低的导通状态电阻和卓越的开关性能。RDS(on) 和开关损耗的变化受工作结温的影响都非常小。

    主要特性

    • 专为汽车应用而设计
    • 导通电阻随温度变化敏感温度
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
    • 低电容

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      2.0
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      DS11643

      Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package

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HIP247 Automotive Ecopack2

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封装

HIP247

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