SCTW100N65G2AG

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汽车级碳化硅功率MOSFET,650 V、100 A、20 mOhm(典型值,TJ = 25°C),HiP247封装

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该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅(SiC)MOSFET技术开发而成。器件具有每区域超低的导通状态电阻和卓越的开关性能。RDS(on) 和开关损耗的变化受工作结温的影响都非常小。
  • 所有功能

    • 专为汽车应用而设计
    • 导通电阻随温度变化敏感温度
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
    • 低电容

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - SCTW100N65G2AG

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTW100N65G2AG
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HIP247 汽车应用 Ecopack2

SCTW100N65G2AG

Package:

HIP247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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批量生产
EAR99 NEC Tube HIP247 - - CHINA

SCTW100N65G2AG 批量生产

封装:
HIP247
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

SCTW100N65G2AG

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tube

Operating Temperature (°C)

Min:

-

Max:

-

Country of Origin:

CHINA

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商