SCTW35N65G2VAG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

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STMicroelectronics - SCTW35N65G2VAG

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTW35N65G2VAG
批量生产
HIP247 汽车应用 Ecopack2

SCTW35N65G2VAG

Package:

HIP247

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

样片和购买

产品型号
从分销商订购
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供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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最小值
最大值
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地区 库存 最小订购量 第三方链接
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Farnell Element14 EUROPE 312 1 马上订购

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代理商名称

RS COMPONENTS

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Farnell Element14

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批量生产
EAR99 NEC Tube HIP247 - - CHINA

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供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

经销商的可用性SCTW35N65G2VAG

代理商名称
地区 库存 最小订购量 第三方链接
RS COMPONENTS EUROPE 50 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 312 1 马上订购

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代理商名称

RS COMPONENTS

库存

50

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Farnell Element14

库存

312

Min.Order

1

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EUROPE 马上订购

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

HIP247

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商