SCTW70N120G2V

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碳化硅功率MOSFET,650 V、100 A、22 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装

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产品概述

描述

该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。

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符号

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封装

3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTW70N120G2V
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HIP247 工业 Ecopack2

SCTW70N120G2V

Package:

HIP247

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

HIP247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tube HIP247 - - CHINA

SCTW70N120G2V 批量生产

封装:
HIP247
ECCN (US):
EAR99
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-

产品型号:

SCTW70N120G2V

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tube

Operating Temperature (°C)

Min:

-

Max:

-

Country of Origin:

CHINA

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