产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此，器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻，以及卓越的开关性能，随温度变化极小。碳化硅（SiC）材料具有出色的热性能，使设计人员能够采用符合行业标准的设计，显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。-
所有功能
- 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
- 稳定的超快速本体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
精选 视频
SiC can be applied to all types of energy handling
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - SCTW70N120G2V
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符号
封装
3D模型
全部资源
| Resource title | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 17 Feb 2021 |
17 Feb 2021
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质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| SCTW70N120G2V |
批量生产
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HIP247 | 工业 | Ecopack2 |
|
SCTW70N120G2V
Package:
HIP247Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| SCTW70N120G2V | 3 distributors |
批量生产
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EAR99 | NEC | Tube | HIP247 | - | - | CHINA | 28.0 / 100 | ||
供货状态
批量生产ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
28.0 / 100