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该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。
主要特性
- 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
- 稳定的超快速本体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
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产品规格 (1)
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应用手册 (3)
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技术文档 (2)
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用户手册 (1)
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宣传册 (5)
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手册 (1)
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
质量与可靠性
产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
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SCTW70N120G2V |
批量生产
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HIP247 | 工业 | Ecopack2 |
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SCTW70N120G2V
Package:
HIP247Material Declaration**:
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样片和购买
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SCTW70N120G2V | 2 distributors | Free Sample Buy Direct |
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EAR99 | NEC | Tube | HIP247 | - | - | CHINA |