SCTW90N65G2V

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碳化硅功率MOSFET,650 V、119 A、18 mOhm(典型值,TJ = 25 C),HiP247封装

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  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

    主要特性

    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitances

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EDA Symbols, Footprints and 3D Models

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTW90N65G2V
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HIP247 工业 Ecopack2

SCTW90N65G2V

Package:

HIP247

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HIP247

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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封装
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SCTW90N65G2V

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

HIP247

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

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Budgetary Price (US$)* / Qty

39.0 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商