SCTWA35N65G2V

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 75 mOhm (typ. TJ = 175 C) in an HiP247 long leads package

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  • This silicon carbide Power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of both on-resistance and switching losses is almost independent of junction temperature.

    主要特性

    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

适合您的资源

CAD/EDA Symbols, Footprints and Models

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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HIP247 long leads 工业 Ecopack2

SCTWA35N65G2V

Package:

HIP247 long leads

Material Declaration**:

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批量生产

Package

HIP247 long leads

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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包装类型

Tube

封装

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(最大值)

-

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Country of Origin

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商