SCTWA50N120-4

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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247-4 package

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产品概述

描述

This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
  • 所有功能

    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitances
    • Source sensing pin for increased efficiency
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

EDA符号、封装和3D模型

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Symbols

符号

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封装

3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTWA50N120-4
批量生产
HiP247-4 工业 Ecopack2

SCTWA50N120-4

Package:

HiP247-4

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

HiP247-4

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
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最大值
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批量生产
EAR99 NEC Tube HiP247-4 - - CHINA 22.9 / 100

SCTWA50N120-4

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

22.9 / 100

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

HiP247-4

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

22.9 / 100

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商