SCTWA50N120

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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package

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  • 该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。

    主要特性

    • 导通电阻随温度变化敏感温度
    • 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 低电容

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      Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mΩ (typ., TJ=150 °C) in an HiP247™ long leads package
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      Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mΩ (typ., TJ=150 °C) in an HiP247™ long leads package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4671
      如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗
      1.0
      608.21 KB
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      AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp
      1.0
      6.39 MB
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      AN3152
      The right technology for solar converters
      1.4
      416.3 KB
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      AN4671

      如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗

      AN5355

      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

      AN3152

      The right technology for solar converters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      TA0349
      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs
      2.2
      2.34 MB
      PDF
      TA0349

      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      SCTWA50N120 PSpice model 1.0
      5.42 KB
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      SCTWA50N120 PSpice model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
      401.67 KB
      PDF
      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
      1.52 MB
      PDF

      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

    • 描述 版本 文档大小 操作
      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
      760.82 KB
      PDF
      Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
      1.8 MB
      PDF
      Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
      582.21 KB
      PDF
      SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
      1.06 MB
      PDF
      Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
      980.73 KB
      PDF
      Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
      1.35 MB
      PDF
      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
      PDF

      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices

      Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter

      Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs

      SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters

      Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films

      Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate

      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTWA50N120
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TO-247 long leads Industrial Ecopack2

SCTWA50N120

Package:

TO-247 long leads

Material Declaration**:

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Grade

Industrial

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Ecopack2

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