SCTWA50N120

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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package

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  • 该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。

    主要特性

    • 导通电阻随温度变化敏感温度
    • 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 低电容

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4671
      如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗
      1.0
      608.21 KB
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      AN5355
      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp
      1.0
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      AN3152
      The right technology for solar converters
      1.4
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      如何调整碳化硅 MOSFET 驱动减少功率损耗

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      Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

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      TA0349
      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs
      2.2
      2.34 MB
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      TA0349

      Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      SCTWA50N120 PSpice model 1.0
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出版刊物和宣传资料

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      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF
      SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.0
      174.33 KB
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      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
      1.52 MB
      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

      SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching

      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

    • 描述 版本 文档大小 操作
      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
      760.82 KB
      PDF
      Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
      1.8 MB
      PDF
      Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
      582.21 KB
      PDF
      SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
      1.06 MB
      PDF
      Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
      980.73 KB
      PDF
      Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
      1.35 MB
      PDF
      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
      792.49 KB
      PDF

      3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices

      Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter

      Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs

      SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters

      Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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批量生产
TO-247 long leads Industrial Ecopack2

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Package:

TO-247 long leads

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Grade

Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持