SCTWA90N65G2V-4

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Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

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This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 所有功能

    • High speed switching performance
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitances
    • Source sensing pin for increased efficiency

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      STDES-30KWVRECT

      批量生产

      30 kW Vienna PFC rectifier reference design with digital control

      AC-DC Converter ST
      STDES-30KWVRECT

      描述:

      30 kW Vienna PFC rectifier reference design with digital control

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HiP247-4 工业 Ecopack2

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HiP247-4

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Industrial

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tube HiP247-4 - - CHINA

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HiP247-4
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SCTWA90N65G2V-4

ECCN (EU):

NEC

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Tube

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CHINA

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