SGT120R65AL

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650 V,75 mOhm典型值,15 A,e-mode PowerGaN晶体管

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产品概述

描述

SGT120R65AL是一种650 V、15 A强模式PowerGaN晶体管,结合了成熟的封装技术。由此产生的G-HEMT器件拥有极低的传导损耗、高电流能力和超快的开关操作,以实现高功率密度和出众的效率性能。

  • 所有功能

    • 增强模式常关晶体管
    • 超快的开关速度
    • 高电源管理能力
    • 极低电容
    • Kelvin源焊盘实现理想的栅极驱动
    • 零反向恢复电荷

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STMicroelectronics - SGT120R65AL

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POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGAN 工业 Ecopack2

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