产品概述
描述
The SGT120R65AL is a 650 V, 15 A e-mode GaN Power transistor. The resulting device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.-
所有功能
- Enhancement mode normally off transistor
- Very high switching speed
- High power management capability
- Extremely low capacitances
- Qualified for industrial applications
- Kelvin source pad for optimum gate driving
- Zero reverse recovery charge
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - SGT120R65AL
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符号
封装
3D模型
全部资源
| Resource title | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 3.0 | 23 Feb 2022 | 23 Feb 2022 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| SGT120R65AL | 评估 | POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGAN | 工业 | Ecopack2 | |
SGT120R65AL
Package:
POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGANMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| SGT120R65AL | 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 评估 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGAN | - | 150 | CHINA | | ||