SGT120R65AL

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650 V,75 mOhm典型值,15 A,e-mode PowerGaN晶体管

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产品概述

描述

The SGT120R65AL is a 650 V, 15 A e-mode GaN Power transistor. The resulting device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
  • 所有功能

    • Enhancement mode normally off transistor
    • Very high switching speed
    • High power management capability
    • Extremely low capacitances
    • Qualified for industrial applications
    • Kelvin source pad for optimum gate driving
    • Zero reverse recovery charge

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - SGT120R65AL

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符号

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3D model

3D模型

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SGT120R65AL
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POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGAN 工业 Ecopack2

SGT120R65AL

Package:

POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGAN

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGAN

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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最大值
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EAR99 NEC Tape And Reel POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGAN - 150 CHINA

SGT120R65AL

供货状态

评估

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGAN

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

150

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商