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  • The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability.

    It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.

    主要特性

    • High voltage capability
    • Low spread of dynamic parameters
    • Very high switching speed

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产品型号
封装
包装类型
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ECCN (US)
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ST13003 SOT-32 Tube
批⁠量⁠生⁠产
EAR99 INDIA 0.73 没有经销商,请联系我们的销售办事处

ST13003

封装

SOT-32

包装类型

Tube

Approximate Price (US$)* / Qty

0.73

供货状态

批⁠量⁠生⁠产

Budgetary Price (US$)* / Qty

0.73

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

INDIA

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS5292
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      5.0
      241.61 KB
      PDF
      DS5292

      High voltage fast-switching NPN power transistor

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
ST13003
批量生产
SOT-32 Industrial Ecopack1

ST13003

Package:

SOT-32

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

SOT-32

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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