ST13009

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The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a hollow emitter structure to enhance switching speeds.

主要特性
- Low spread of dynamic parameters
- Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
- High voltage capability
- Very high switching speed
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  DS4351
  High voltage fast-switching NPN power transistor 3.2
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  DS4351
  
  High voltage fast-switching NPN power transistor
  
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