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STB11NM60T4

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N-channel 600 V, 0.4 Ohm typ., 11 A MDmesh Power MOSFET in D2PAK package

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  • These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.

    主要特性

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance
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STB11NM60T4 D2PAK Tape And Reel
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      		DS3653
      N-channel 600 V, 0.4 Ω typ., 11 A, MDmesh™ II Power MOSFETs in D²PAK and TO-220 packages       		7.0
      624.3 KB
      		PDF
      DS3653

      N-channel 600 V, 0.4 Ω typ., 11 A, MDmesh™ II Power MOSFETs in D²PAK and TO-220 packages

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      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
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      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STB11NM60T4
NRND
D2PAK Industrial Ecopack2

STB11NM60T4

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML
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Marketing Status

NRND

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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