STB13007DT4

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High voltage fast-switching NPN power transistor

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  • The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.

    It uses a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds.

    主要特性

    • Fully characterized at 125 ˚C
    • Very high switching speed
    • In compliance with the 2002/93/EC European Directive
    • Improved specification: Lower leakage current, Tighter gain range, DC current gain preselection, Tighter storage time range
    • Integrated free-wheeling diode
    • High voltage capability
    • Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
    • Large RBSOA
    • Low spread of dynamic parameters

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STB13007DT4 D2PAK Tape And Reel
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS4802
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      2.3
      228.87 KB
      PDF
      DS4802

      High voltage fast-switching NPN power transistor

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STB13007DT4
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D2PAK 工业 Ecopack2

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D2PAK

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