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这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
主要特性
- 业界领先的低 RDS(on) x 面积
- 业界出色的品质因数(FoM)
- 极低的栅极电荷
- 经过100%雪崩测试
- 稳压保护
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产品规格 (1)
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25 Sep 2017 |
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应用手册 (4)
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13 Sep 2018 |
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技术文档 (1)
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用户手册 (1)
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宣传册 (5)
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手册 (1)
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23 Mar 2020 |
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