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STB33N60DM2

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N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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  • These high voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh DM2 fast recovery diode series. They offer very low recovery charge and time (Qrr, trr) combined with low RDS(on), rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主要特性

    • Fast-recovery body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected
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      		DS10564
      N-channel 600 V, 0.110 Ω typ., 24 A MDmesh™ DM2 Power MOSFETs in D²PAK, TO-220 and TO-247 packages       		2.0
      1.09 MB
      		PDF
      DS10564

      N-channel 600 V, 0.110 Ω typ., 24 A MDmesh™ DM2 Power MOSFETs in D²PAK, TO-220 and TO-247 packages

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      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN4720
      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection       		1.0
      1.4 MB
      		PDF
      		AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode       		1.0
      834.68 KB
      		PDF
      		AN2626
      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter       		1.4
      446.79 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
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      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN4720

      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection

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      AN5427

      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

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      AN2626

      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STB33N60DM2 PSpice model 1.0
      10.71 KB
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      STB33N60DM2 PSpice model

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出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		400/650 V MDmesh DM2: STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.0
      643.03 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      400/650 V MDmesh DM2: STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STB33N60DM2
批量生产
D2PAK Industrial Ecopack2

STB33N60DM2

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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