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STB36NM60N

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Automotive-grade N-channel 600 V, 0.093 Ohm typ., 29 A MDmesh II Power MOSFET in a D2PAK package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

    主要特性

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance
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      		DS6433
      Automotive-grade N-channel 600 V, 0.093 Ω, 29 A, MDmesh™ II Power MOSFET in a D²PAK package       		5.0
      1.02 MB
      		PDF
      DS6433

      Automotive-grade N-channel 600 V, 0.093 Ω, 29 A, MDmesh™ II Power MOSFET in a D²PAK package

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages       		1.3
      776.65 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
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      Fishbone diagram for power factor correction

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      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF
产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STB36NM60N
批量生产
D2PAK Automotive Ecopack1

STB36NM60N

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML
More Info

Marketing Status

批量生产

Package

D2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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