STB41N40DM6AG

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Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
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      AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode
      1.0
      834.68 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STB41N40DM6AG pSpice Model 1.0
      10.2 KB
      ZIP

      STB41N40DM6AG pSpice Model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      600 - 650 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness 1.0
      1.15 MB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      600 - 650 V MDmesh™ DM6 fast-recovery SJ MOSFETs boost efficiency and robustness

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STB41N40DM6AG
批量生产
D2PAK Automotive Ecopack1

STB41N40DM6AG

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

D2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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