STB45NF06

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N沟道60 V、0.22 Ohm典型值、38 A STripFET(TM) II功率MOSFET,D2PAK封装

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  • This Power MOSFET has been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.

    主要特性

    • Typical RDS(on)= 0.022 Ω
    • Exceptional dv/dt capability
    • 100% avalanche tested
    • Standard threshold drive

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS3855
      N-channel 60 V, 0.22 Ω typ., 38 A STripFET™ II Power MOSFET in a D²PAK package
      2.1
      878.61 KB
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      DS3855

      N-channel 60 V, 0.22 Ω typ., 38 A STripFET™ II Power MOSFET in a D²PAK package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

出版刊物和宣传资料

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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
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      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STB45NF06T4
批量生产
D2PAK 汽车应用 Ecopack1

STB45NF06T4

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

D2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape And Reel D2PAK - 175 CHINA 0.725 / 1k

STB45NF06T4

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NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

D2PAK

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(最小值)

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(最大值)

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Budgetary Price (US$)* / Qty

0.725 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商