STB6N80K5

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N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装

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  • 这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。

    主要特性

    • 业界领先的低RDS(on)
    • 业界出色的品质因数(FoM)
    • 极低的栅极电荷
    • 经过100%雪崩测试
    • 稳压保护

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      N-channel 800 V, 1.3 Ω typ., 4.5 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in D²PAK, DPAK, I²PAK and TO-220 packages
      3.0
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      DS9676

      N-channel 800 V, 1.3 Ω typ., 4.5 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in D²PAK, DPAK, I²PAK and TO-220 packages

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      AN4250
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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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硬件型号、CAD库及SVD

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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D2PAK 工业 Ecopack2

STB6N80K5

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

D2PAK

Grade

Industrial

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封装

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