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STB80N20M5

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N沟道200 V、0.019 Ohm典型值、61 A MDmesh M5功率MOSFET，D2PAK封装

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  • These devices are N-channel Power MOSFETs based on the MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting products offer extremely low on-resistance, making them particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.

    主要特性

    • Extremely low RDS(on)
    • Low gate charge and input capacitance
    • Excellent switching performance
    • 100% avalanche tested
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LV Motor Control
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS6286
      N-channel 200 V, 15 mΩ, 65 A, MDmesh™ M5 Power MOSFETs in D2PAK and TO‑220 packages       		3.0
      894.2 KB
      		PDF
      DS6286

      N-channel 200 V, 15 mΩ, 65 A, MDmesh™ M5 Power MOSFETs in D2PAK and TO‑220 packages

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages       		1.3
      776.65 KB
      		PDF
      		AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance       		1.2
      1.13 MB
      		PDF
      		AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications       		1.2
      1.45 MB
      		PDF
      		AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies       		1.1
      1.22 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      PDF
      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      PDF
      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STB80N20M5 PSpice model 1.0
      11.18 KB
      		ZIP

      STB80N20M5 PSpice model

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF
      		STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STB80N20M5
批量生产
D2PAK 工业 Ecopack2

STB80N20M5

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML
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Marketing Status

批量生产

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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ECCN (US)
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封装
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EAR99 NEC Tape And Reel D2PAK - - CHINA 4.441 / 1k

STB80N20M5

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

D2PAK

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(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

4.441 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商 。