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  • This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique \"Single Feature Size™\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

    主要特性

    • Exceptional dv/dt capability
    • Application oriented characterization
    • 100% avalanche tested
    • Switching application

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CAD/EDA Symbols, Footprints and Models

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STB80NF55-06-1
批量生产
I2PAK 汽车应用 Ecopack1 (*)

STB80NF55-06-1

Package:

I2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

I2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1 (*)

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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产品型号
从分销商订购
从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
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最大值
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批量生产
EAR99 NEC Tube I2PAK -55 175 CHINA 2.193 / 1k

STB80NF55-06-1

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

2.193 / 1k

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

I2PAK

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

2.193 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商