STBV32

NRND

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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  • The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.

    The STBV32G and STBV32G-AP are supplied using halogen-free molding compound.

    主要特性

    • High voltage capability
    • Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
    • Low spread of dynamic parameters
    • Very high switching speed

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STBV32-AP TO-92 Tape And Reel
NRND
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STBV32-AP

封装

TO-92

包装类型

Tape And Reel

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NRND

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS1635
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      8.2
      234.04 KB
      PDF
      DS1635

      High voltage fast-switching NPN power transistor

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STBV32-AP
NRND
TO-92 Industrial Ecopack1

STBV32-AP

Package:

TO-92

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

TO-92

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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