P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    Key Features

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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      DS10343
      P-channel 100 V, 0.136 Ω typ., 10 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package
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      DS10343

      P-channel 100 V, 0.136 Ω typ., 10 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package

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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STD10P10F6 PSpice model 1.0
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      STD10P10F6 PSpice model

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
STD10P10F6
批量生产
DPAK 工业 Ecopack2

STD10P10F6

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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批量生产

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.