N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET II Power MOSFET in a IPAK package

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  • This Power MOSFET has been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET™ process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.

    主要特性

    • Exceptional dv/dt capability
    • Low gate charge

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      DS10451
      N-channel 60 V, 0.07 Ω typ., 12 A, STripFET™ II Power MOSFET in an IPAK package
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      DS10451

      N-channel 60 V, 0.07 Ω typ., 12 A, STripFET™ II Power MOSFET in an IPAK package

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      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
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      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

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      Power MOSFET: Rg impact on applications

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

出版刊物和宣传资料

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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

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STD12NF06L-1
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IPAK 工业 Ecopack2

STD12NF06L-1

Package:

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